MRAM:RAM和NAND再遇强敌
M 是一种非易失性存储技术,通过磁致电阻的变化来表示二进制中的 0 和 1,从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性,让其在断电情况下依然可以保留数据信息,并拥有不逊色于 DRAM 内存的容量密度...
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2023
M 是一种非易失性存储技术,通过磁致电阻的变化来表示二进制中的 0 和 1,从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性,让其在断电情况下依然可以保留数据信息,并拥有不逊色于 DRAM 内存的容量密度...