SiC和GaN的技术应用挑战
1 SiC和GaN的优势相比传统MOSFET和IGBT方案,SiC和GaN器件提供更高的功率密度,具备更低的栅极驱动损耗和更高的开关速度。虽然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的应用上有一些重叠,...
全国服务热线
15359273790
技术过硬,据实报价
10-18
2023
1 SiC和GaN的优势相比传统MOSFET和IGBT方案,SiC和GaN器件提供更高的功率密度,具备更低的栅极驱动损耗和更高的开关速度。虽然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的应用上有一些重叠,...
07-14
2023
2023年7月11日,上海——慕尼黑上海电子展于7月11日-13日在国家会展中心(上海)举办。作为高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司,纳芯微电子(以下简称“纳芯微”,科创板股票代码688052)围绕...
04-04
2023
3月31日至4月2日,由中国电动汽车百人会主办,清华大学、中国汽车工程学会、中国汽车工业协会、中国汽车技术研究中心、中国汽车工程研究院共同协办的第九届中国电动汽车百人会论坛在北京钓鱼台国宾馆召开。论坛...
04-03
2023
3月31日至4月2日,由中国电动汽车百人会主办,清华大学、中国汽车工程学会、中国汽车工业协会、中国汽车技术研究中心、中国汽车工程研究院共同协办的第九届中国电动汽车百人会论坛在北京钓鱼台国宾馆召开。论坛...