三星电子将在横滨建立一个开发设施，这是一项极具象征意义的举措，有望促进日本和韩国芯片行业之间的合作。

新设施将耗资超过 300 亿日元（2.22 亿美元），建在东京西南部的横滨，这里是韩国公司现有地点三星日本研究所的所在地。开发中心将是一个独立的单元。计划中的投资将利用日本和韩国的共同专业知识。三星是世界上最大的内存芯片制造商，而日本是晶圆和芯片制造设备等芯片生产基础材料的主要生产商。

除了公司将为原型芯片设备建立生产线外，没有具体细节。

新工厂将雇用数百名员工，目标是在 2025 年开始运营。三星正在寻求利用日本政府提供的半导体投资补贴。预计补贴总额将超过 100 亿日元。

三星拒绝置评。

传三星即将发布第二代 3nm 制程技术性能相比 4nm 提升 22%。据 ThePulse，三星将在 6 月 11 至 16 日于日本举行的国际超大型集成电路技术研讨会上，以初步简报的形势介绍其目前的芯片技术状况，并发布其第二代 3nm 制程技术 SF3（3GAP）。根据官方预告，名为 SF3（3GAP）的三星第二代 3nm 制程技术，将使用第二代 MBCFET 架构，在第一代 3nmGAA(SF3E) 基础上做进一步的优化。性能将比目前的 4nm 制程（SF4）快 22%，能效可提高 34%，芯片尺寸也将缩减 21%。

韩国最有价值公司的此举可能会刺激两国芯片行业之间的更多合作。

这项投资是在韩国总统尹锡烈和日本首相岸田文雄的领导下，韩国和日本重新建立和解关系之后进行的。两位领导人定于下周在广岛七国集团峰会期间会面。

三星的最大竞争对手台积电也于 2021 年在日本进行了重大投资，此举旨在实现公司生产基地的多元化，因为人们担心芯片生产过度集中在中国台湾。台积电还在东京东北部的筑波设有研发设施。

日本曾经是存储芯片生产的全球领导者，一直试图通过吸引外资重建其生产基地。台积电和美光科技是日本的主要外国投资者，并获得了日本政府的补贴。

新工厂将专注于所谓的半导体生产后端。在芯片生产中，电路首先在前端过程中在晶圆上创建，然后在后端过程中将晶圆封装成最终产品。

传统上，研发主要集中在生产过程的前端，以实现电路的极端小型化。但许多人认为，进一步微型化是有限度的，重点将转移到改进后端工艺上，例如将晶圆堆叠成多层，以制造 3D 芯片。

三星显然认为它需要与日本的材料和设备制造商更紧密地合作，以在生产过程中取得突破。三星近期还合并了位于横滨和大阪的两家研发机构，在日本创建名为 DSRJ 的综合研发中心。报道称新中心位于三星横滨研究所内。三星在日本以「Samsung Research Japan」的名义，为设备体验部门 Device eXperience 设立新的综合研究中心。三星希望通过重组在设备解决方案相关的研发机构，来增强综合开发能力。

三星为何频频在日本有动作呢？三星在 2022 年的业绩暴雷之后一直处于低迷状态。尽管该公司已经采取了一些措施来应对半导体行业的不景气，包括加大对芯片业务的投资和重组其业务结构，但仍然需要时间来恢复其过去的增长势头。三星电子 4 月 27 日发布的季度财报显示，其半导体部门第一季度营业亏损 4.58 万亿韩元（折合人民币约 236 亿元），而 2022 年同期该业务有 8.45 万亿韩元的利润，这也是 2009 年以来首次季度亏损。

此外，美国的限制措施对三星的业务也造成了一定的影响。尤其是在半导体行业，三星是一个重要的供应商，这个行业的供需关系很容易受到各种因素的影响。在美国的限制措施下，三星可能需要寻找其他市场和客户来弥补损失，这可能会进一步打击其业绩。三星还面临着其他的竞争压力。在智能手机市场，三星面对着苹果、华为等强大的竞争对手，而在半导体市场，英特尔、AMD 等公司也在加紧布局，试图夺取市场份额。