中国科学院院士、中国科学院党组书记白春礼于4月13日访问长春光机所，调研EUV光源等技术，高度肯定光电关键核心技术攻关成果。国产光刻机获重大突破，这次官方证实我国研发EUV光源系统具有重要意义。可以推测，长春光机所的EUV系统已达可用级别，不是半成品，打破市场预测。

       ASML首席执行官温克宁不满地表示：“中国制造光刻机是在破坏全球产业链。”问题是，EUV光刻技术突破意味着什么？ASML为何反应激烈？

      在讨论光刻机之前，我们应了解芯片的关键性。没有芯片，将无法实现所谓“梦想”。芯片是未来科技和经济的基石，影响国家、社会未来发展，甚至改变全球格局。从手机、电脑、电视到汽车，芯片广泛应用。

中国以前无法在10年内制造EUV光刻机，甚至遭到ASML威胁，但预计2025年将推出样机，2030年实现量产，解决7nm、5nm芯片问题，挑战ASML的市场主导地位。

美国为了打压我国芯片产业，牺牲自身利益，但芯片产业链巨大，包括设计、制造、封装、架构、材料、设备、EDA工具等。中国芯片产业的瓶颈在设备端，特别是光刻机。

7nm以下芯片更多晶体管、性能更强、能耗更低，关键是增益更高，各国的芯片竞争重点。7nm以下芯片制造关键在EUV光刻机，如没有将是空中楼阁。

目前，EUV光刻机只由荷兰的ASML制造，年产量约35台，分配给台积电、三星、英特尔等公司。全球只有台积电、三星能代工7nm以下芯片，中国的中芯国际因设备问题止步于14nm。

EUV技术极其复杂，高能耗，零部件和材料制造等多方面极具挑战。光线必须在真空环境中传输，机械精确度要达到皮秒级，光学透镜平整度达到皮米级。

中国开展了光刻机自主研发，2000年开始，我国团队参观ASML，遭到嘲笑。2007年上海微电子制造出首台国产光刻机，ASML态度改变，但中国芯片制造迅速发展，ASML表示愿意支持并提供技术与设备，甚至EUV光刻机。

然而，当中国取得EUV光刻机突破时，ASML急了，担心破坏全球产业链。20多年过去，中国已量产90nm光刻机，交付了28nm光刻机样机，EUV光刻机正在紧张攻关，已取得重大进展。

长春光机所克服了反射镜技术问题，双工作台精度达到5nm，EUV光源系统有重大突破，2025年，国产芯片可达70%资产率，国产EUV光刻机将问世，2030年实现全面量产，生产4nm芯片。这突破将让ASML不安。

虽然技术攻克还有路要走，但中国具备突破EUV光刻机核心技术的实力，2025年国产EUV光刻机有望面世。2030年，国产芯片将彻底摆脱“卡脖子”，ASML和台积电或被撼动，全球芯片制造商将受到冲击。

或许有人质疑，但仔细思考，中国已经崭露头角，全球第二大经济体，军事实力世界第二，科技实力迅速增长，拥有5G、高铁、空间站、洲际导弹、卫星导航、芯片、操作系统、锂电池、月球、火星探测等高科技。中美之外，哪个国家做得到？

ASML研发9年，研发团队不到200人，工时不多，我们则工人众多，工时长，效率更高，3至5年可完成。中国每年投入巨资，毕业生数量庞大，为什么不能完成成熟设备？

当然，我们制造EUV光刻机并非要取代ASML，而是为了满足自身需求，推动全球光刻机技术发展，继续前进，克服老美的封锁，困难将更大，代价更高。然而，国内的“精日”、“精美”分子不见得支持，总是传播消极信息，损害国人士气。事实上，老美的封锁不利于我们，中国发展在自家土地，如何能有错？支持国产芯片，加速技术攻关，让ASML更为担忧，老美更寂寞。