AI、高性能计算等新兴技术驱动下，晶圆代工产业先进制程重要性日益凸显。近期，产业迎来新进展：英特尔宣布Intel 4制程节点已大规模量产。与此同时，台积电、三星同样在积极布局先进制程技术。

英特尔Intel 4制程节点已大规模量产

10月15日，“英特尔中国”官方公众号宣布，英特尔已于近日开始采用极紫外光刻（EUV）技术大规模量产Intel 4制程节点。官方表示，英特尔正以强大执行力推进“四年五个制程节点”计划，并将用于新一代的领先产品，满足AI推动下“芯经济”指数级增长的算力需求。

作为英特尔首个采用极紫外光刻技术生产的制程节点，Intel 4与先前的节点相比，在性能、能效和晶体管密度方面均实现了显著提升。英特尔曾在此前9月举办的ON技术创新峰会上介绍了Intel 4工艺。

英特尔表示，与lntel 7相比，Intel 4实现了两倍的面积微缩，带来了高性能逻辑库，并引入了多个创新。

具体来看，Intel 4简化工艺的EUV光刻技术；Lntel 4针对高性能计算应用进行了优化，可支持低电压（<0.65V）和高电压（＞1.1V）运行。与lntel 7相比，intel 4的iso功率性能提高了20%以上；高密度MIM（金属-绝缘体-金属）电容器实现卓越的供电性能。

英特尔“四年五个制程节点”计划正在顺利推进中，其各制程进度具体如下：

目前，Intel 7和Intel 4已实现大规模量产；Intel 3正在按计划推进，目标是2023年底。

采用Ribbon FET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术的Intel 20A和Intel 18A同样进展顺利，目标是2024年。英特尔将于不久后推出面向英特尔代工服务(IFS)客户的Intel 18A制程设计套件(PDK)。

采用Intel 4制程节点，产品代号为Meteor Lake的英特尔®酷睿™Ultra处理器将于今年12月14日发布，为AIPC时代铺平道路；

采用Intel 3制程节点，具备高能效的能效核(E-core)至强处理器Sierra Forest将于2024年上半年上市，具备高性能的性能核(P-core)至强处理器Granite Rapids也将紧随其后推出。

英特尔“四年五个制程节点”，来源：英特尔官网

三星2nm工艺量产详细计划公布

三星已经量产了第二代3nm芯片，未来将持续发力2nm芯片。

此前6月28日，三星电子在2023年第7届三星晶圆代工论坛（Samsung Foundry Forum, SFF）上宣布其最新的代工技术创新和业务战略。

人工智能时代，三星晶圆代工计划基于GAA的先进制程技术，为客户在人工智能应用方面的需求提供强大支持。为此，三星公布了2nm工艺量产的详细计划以及性能水平，计划2025年实现应用在移动领域2nm工艺的量产，于2026和2027分别扩展到HPC及汽车电子。

三星表示，2nm工艺（SF2）较3nm工艺（SF3）性能提高了12%，功效提高25%，面积减少5%。

此外，9月据媒体报道三星正准备确保下一代EUV光刻机High-NA的产量，预计这款设备将于今年晚时推出原型，明年正式供货。

台积电2025年2nm进入量产

今年以来，台积电先后在美国加利福尼亚州圣克拉拉市、中国台湾等地介绍了其最新的先进半导体制造工艺路线图，涵盖3nm和2nm制程节点的各种工艺。

台积电目前规划的3nm"家族"分别是N3、N3E、N3P、N3X、N3 AE，其中N3是基础版；N3E是改进版，成本进一步优化；N3P性能将进一步提升，计划2024年下半年投产；N3X聚焦高性能计算设备，计划2025年进入量产阶段；N3 AE专为汽车领域设计，具备有更强的可靠性，将有助客户缩短产品上市时间2~3年。

2nm方面，台积电预计N2工艺将会在2025年进入量产。台积电介绍，在相同功率下，N2速度相比N3E提高15%，或者降低30%的功耗，密度为原来的1.15倍。9月媒体透露台积电组建了2nm任务团冲刺2nm试产及量产，预计可在明年实现风险性试产，并于2025年量产。

为确保2nm制程技术顺利展开，台积电已经展开对上游设备领域的追逐工作。台积电9月12日宣布将以不超4.328亿美元的价格收购英特尔旗下子公司IMS Nanofabrication （以下简称“IMS”）10%的股份。IMS是一家专注于研发和生产电子束光刻机的公司，其产品被广泛应用于半导体制造、光学元件制造、MEMS制造等领域，具有高分辨率、高精度、高速度等优点。业界认为，台积电收购IMS可确保关键设备的技术开发，并满足2nm商用化的供应需求。