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在光刻机新技术的研发上, 我们似乎又掉队了

2023-05-05 10:48 已有人浏览 作者

目前全球仅4家厂商,能够制造光刻机,分别是荷兰的ASML,日本的尼康佳能,和上海的微电子。

从技术水平来看,ASML>尼康>佳能>上海微电子。如下图所示,ASML光刻机能够达到3nm的精度了,而尼康的主要在28nm及以上,而佳能上海微电子的在90nm以上。

在光刻机新技术的研发上, 我们似乎又掉队了(1)

再给大家一个数字,这是某机构统计的,2021年全球半导体前道光刻机的销售情况,从这张表可以看出来,小米7nm的EUV光刻机,ASML全部包揽。

在45-7nm的光刻机上,仅有尼康、ASML能够推出,尼康也就是打酱油,仅卖出4台,另外的81台全是ASML的。

在光刻机新技术的研发上, 我们似乎又掉队了(2)

直到180nm级别的KrF光刻机上,佳能才参与进来,而中国厂商在前道光刻机的出货量基本为0(也可能是没有统计到),但不否认,其份额是可以忽略的。

目前硅基芯片被认为发展到极限了,而硅基芯片需要EUV光刻机,中国基本上在EUV光刻机,不太可能追得上了,所以很多人表示,在当前的光刻机技术上,既然我们这么落后,那么就应该换道超车了,在新的技术上,赶上来呗。

在光刻机新技术的研发上, 我们似乎又掉队了(3)

但是,要我说实话,从目前已知的光刻机新技术来看,中国还是相对落后的。

目前已知的光刻机新技术,有三种,并且这三种技术也被大量的厂商在研究。

第一种是NIL技术,也就是纳米压印,将芯片的电路板,像打印机一样,打印到硅片上,能够比EUV光刻机精度更高,功耗更低,成本更低。

目前在这一种技术上,佳能表现最突出,申请的专利也最多,并且与铠侠合作,已经有成熟的产品了,我们没有厂商表现很突出。

在光刻机新技术的研发上, 我们似乎又掉队了(4)

第二种技术是电子束光刻机(EBL),用高能电子束来替代极紫外线,电子对应的波长只有0.04纳米,加工精度就比EUV又高了不少。

这种技术,目前是美国表现最为突出,美国厂商Zyvex还搞了一台成熟的产品,并且制造出了0.768nm的芯片,不过目前这种光刻机效率低,无法大规模使用,但至少走在世界前列。

在光刻机新技术的研发上, 我们似乎又掉队了(5)

第三种技术称之为“自组装(DSA)光刻技术”,利用新的化学材料,让电路图直接在硅片上生成,不需要光刻。

目前在这一块表现突出的,是欧洲、美国的研发机构,像比利时微电子中心、麻省理工学院,都建立了自组装产线进行研究,专利也申请的最多。

在光刻机新技术的研发上, 我们似乎又掉队了(6)

实话实说,目前中国的厂商,在这三种被大家认为大有未来的光刻机技术、专利上表现都不太突出,所以说是落后了也并不过份。

当然,任何技术没有成为真正的生产力之前,都有可能是无用功,这三大技术也不例外,现在被看好,未来也可能一事无成。

但能够在这些前沿技术上发力,表现突出,也是实力的一种表现,所以中国厂商真的要加油,不管押注什么技术,都得赶紧研发了,否则落后又要挨打啊。

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