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黄仁勋才挺台积电生产下代芯片,3纳米RTX5090曝光

2023-06-06 10:10 已有人浏览 作者

就在英伟达创办人兼董执行帐黄仁勋表明,下一代芯片仍将由晶圆代工龙头台积电来代工生产,因为中国台湾生产仍具有优势之后,现在外界传出,英伟达的下一代旗舰级显卡──RTX5090将使用台积电3纳米制程技术,预计将在2024年年底前推出。

根据外媒Hardwaretimes的报导,英伟达在2022年推出的RTX40系列显卡,代号为Ada Lovelace,而下一代英伟达RTX显卡系列,其代号为Blackwell,并表示这些GPU将在台积电3纳米(N3)节点制程上生产,内含晶体管数量将超过150亿个,晶体管密度接近3亿/mm²,核心运算时脉将超过3Ghz,汇流排密度则为512bits。

以目前市场上的消息来汇整,采用GB102架构的RTX5090将包含144组串流处理器(SM)单元,也就是假设每组SM还是128个计算统一设备架构(CUDA),总计将有18432个CUDA,相较RTX4090多出12.5%。加上96MB二级暂存,搭配GDDR7显示内存,并将支持PCIe5.0 x16接口。

而根据日前Computex Teipei2023上,板卡制造商所提供的下一代辉达RTX旗舰显卡的散热设计来看,该款显卡使用了动态双金属鳍片(Dynamic Bimetallic Fin),6条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片,进一步增强散热,而显存区域也有对应的散热铜片。因此,以显卡如此的散热条件来说,英伟达的RTX5090的原始功耗和发热效能应该将会给人留下深刻的印象。

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