美国国防高级研究计划局表示，计划明年夏天授予一份合同，建立美国先进微电子制造中心。

该计划被称为“下一代微电子制造”，将资助研究和设备，以创建一个国内尖端制造技术原型制作中心，DARPA 希望该中心将为美国半导体工业基地带来领先优势。 目标是到 2029 年实现这一能力。

该中心将专注于 3D 异构集成微系统（3DHI）——一种先进的微电子制造方法。 3DHI 研究的前提是，通过以不同的方式集成和封装芯片组件，制造商可以分解内存和处理等功能，从而显着提高性能。

这一技术领域不仅可以改变美国的工业基础，而且包括全球微电子生产领导者台湾在内的其他国家也对此有着浓厚的兴趣。

“目前，美国没有具备 3DHI 研发综合能力的开放制造中心，”DARPA 在 11 月 20 日的计划公告中表示。 “预计微电子创新的下一波主要浪潮将来自于通过先进封装集成异构材料、设备和电路的能力，DARPA 提议专门为下一代 3DHI 建立一个国家加速器。”

7月，该机构选择了11个团队开始该中心的基础工作。 DARPA 本周表示，计划为该计划的接下来两个阶段选择一个团队，每个阶段的奖金高达 4.2 亿美元。

根据这种伙伴关系（称为其他交易协议），选定的团队还将资助部分工作。 DARPA 计划于 11 月 28 日向业界通报这一努力。

美国从台湾和中国大陆出口大部分先进半导体，这两个国家在全球市场占据主导地位。 近年来，人们越来越担心这些为汽车、手机和国防部主要武器提供动力的关键微系统过度依赖外国供应链。

DARPA 通过 NGMM 等努力关注前瞻性技术，这与美国政府通过《创造半导体生产有益激励措施》（CHIPS 法案）来促进当今国内半导体工业基础的更广泛努力不同。 该措施于 2022 年获得国会通过，并将持续到 2026 年，并为半导体劳动力改善工作、研发和制造提供资金。 它还为国内制造设施和设备的投资提供 25% 的税收抵免。

虽然《CHIPS 法案》的重点是在短期内支撑美国的供应基础，但 DARPA 在这一领域的努力是面向“下一波创新”。

NGMM 是这些努力的核心，属于该机构的电子复兴计划 2.0 的范畴，该计划旨在解决影响美国国家安全和商业行业的技术挑战。

NGMM 第一阶段将重点关注购买设备、创建基础制造工艺以及建立适合 3DHI 系统的自动化和仿真软件。 第二阶段的重点是创建硬件原型、自动化流程和开发仿真功能。

DARPA 表示：“该计划的最终目标是在非联邦实体拥有和运营的现有设施中建立一个自我维持的 3DHI 制造中心，并可供学术界、政府和工业界的用户使用。” “衡量成功的标准是能否以合理的成本支持各种高性能 3DHI 微系统的设计、制造、组装和测试，并以支持快节奏创新研究的周期时间。”