在消费级存储市场低迷的背景下，高带宽存储器（HBM）技术已成为新的驱动力，最新报告指出三星和美光两家公司正积极筹备扩张HBM DRAM 。
三星耗资105亿韩元，收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备，以扩大HBM产能。三星还计划再投资7000亿至1万亿韩元，用于新建新的封装线。
此前报道，三星副总裁兼DRAM产品和技术团队负责人Hwang Sang-jun先生透露，三星已开发出速度为9.8Gbps的HBM3E，并计划开始向客户提供样品。同时，三星还正在开发HBM4的各种技术，包括针对高温热特性和混合键合（HCB）优化的非导电胶膜（NCF）组装技术等，目标是到2025年推出。
美光也在积极筹备HBM生产，于11月6日在台中开设了新工厂。美光表示，这个新设施将集成先进的测试和封装功能，并将致力大规模生产HBM3E以及其他产品，旨在满足人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等各种应用日益增长的需求。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，计划在2024年初开始大量出货HBM3E，目前正在接受NVIDIA的认证。最初的HBM3E产品将采用8-Hi堆栈设计，容量为24GB，带宽超过1.2TB/s。
此外，美光还计划在2024年推出更大容量的36GB的12-Hi堆栈HBM3E。在早些时候的一份声明中，美光预计到2024年，新的HBM技术将贡献“数亿美元”的收入。
