近日，苹果、博通、英特尔、三星、台积电、Rapidus传来最新动态。例如苹果与博通达成价值数十亿美元的新协议，加码研发5G射频组件；英特尔披露了其AI芯片大战前景规划；三星将于6月揭晓升级版3纳米和4纳米芯片制程；台积电再发200亿元新台币公司债拟扩建厂房设备；日本Rapidus目标2025年4月试产2纳米芯片。

苹果与博通达成价值数十亿美元的新协议

5月23日，苹果宣布与博通公司（苹果长期供应商合作伙伴之一）建立新的重要合作伙伴关系。苹果公司称这是一项“数十亿美元的交易”，博通将在美国开发和生产一些关键的5G射频组件。

图片来源：苹果官方公告截图

根据这项合作协议，博通将在美国开发和生产一系列关键的5G射频组件，包括FBAR滤波器和尖端的无线连接组件。FBAR滤波器将在包括科罗拉多州福特科林斯市在内的几个美国制造和技术中心设计和制造，据称，博通在那里拥有一个重要的设施。

苹果公司表示，该公司已经帮助支持了博通在科罗拉多州福特科林斯市的FBAR滤波器制造设施的1100多个工作岗位。与苹果的合作将使博通能够“继续投资于关键的自动化项目和技术人员和工程师的技能提升”。

与博通达成合作协议之际，苹果公司也在继续开发自己的内部技术，以实现减少对诸如蓝牙和Wi-Fi组件等博通提供的组件的依赖。例如，据报道，苹果正在开发一种集成Wi-Fi和蓝牙功能的芯片，可能最早于 2025 年推出。苹果还一直在研究自家版本的其他iPhone组件，如射频芯片和无线充电组件，这些组件目前也由博通提供。

英特尔披露AI芯片大战前景规划

5月22日，在德国汉堡举行的高性能计算展上，英特尔披露了公司未来AI算力战略部署的最新细节，为追赶英伟达又增添了一笔重磅砝码。

图片来源：英特尔公告截图

对于市场上最关心的下一代Max系列GPU芯片Falcon Shores，英特尔在周一给出了一系列参数预告：高带宽内存（HBM3）规格将达到288GB，支持8bit浮点运算，总带宽可达9.8TB/秒。英特尔在周一表示，公司已经接近完成向美国阿贡国家实验室交付基于Ponte Vecchio的Aurora超级计算机。

与算力霸主英伟达相比，英特尔的AI芯片业务还无足轻重。作为传统芯片大厂，英特尔虽然早在2021年就展示过代号为“Ponte Vecchio”的旗舰数据中心GPU，但实际交付的不断拖延也令公司错过了这一轮AI大爆发的机会。

英特尔在周一表示，公司已经接近完成向美国阿贡国家实验室交付基于Ponte Vecchio的Aurora超级计算机。英特尔也强调这款系统的表现会优于使用英伟达H100芯片的HPC。曾为“曼哈顿工程”做出重要贡献的阿贡国家实验室也表示，将利用这款超算为科学研究社区开发一系列生成式AI模型。完整的Aurora包含63744个GPU和21248个CPU，还有1024个DAOS存储节点。

由于战略转型的缘故，业界推测，英特尔这款芯片问世的时间最早也是在2025年，届时英伟达很有可能会拿出更强的竞品，而跃跃欲试AI赛道的另一家竞品AMD，也将在今年末推出MI300芯片。

英特尔副总裁兼超级计算事业部总经理Jeff McVeigh周一表示，在放弃之前把CPU和GPU结合在一起的策略后，公司正在花时间重新设计芯片。虽然公司渴望拥有市场上最强的CPU和GPU，但很难说同一家供应商能同时凑齐两者的最佳组合。反过来说，如果拥有独立的产品，就能在平台级别的选择中展开竞争。

三星下月揭晓升级版3/4纳米芯片制程

据三星官方预告，三星计划在今年6月的VLSI Symposium 2023上公布其名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术和名为SF4X4纳米芯片制造工艺。该活动将于2023年6月11日至16日在日本京都举行。

公开资料显示，三星在去年6月量产了SF3E（3nm GAA），这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”应用，其打破了FinFET原有的性能限制，引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。

根据官方的预告，三星此次的SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化。三星表示，与SF4（4LPP，4nm级低功耗工艺）相比，SF3在相同功率和晶体管数量下的性能提高了22%，在相同频率和复杂性下的功耗降低了34%，逻辑面积缩小了21%。不过三星并没有将其SF3与SF3E进行比较，也没有关于SRAM和模拟电路缩放方面的资料。

结合过往情况看，三星每每研发的第一代芯片制造工艺处于试错期并不被广泛使用，而后续几代则会逐渐被业界所接受使用率从而大幅度提升。业界消息称，Exynos 2500和骁龙 8 Gen 4或使用SF3工艺，并且业界此前消息显示，由于台积电产能不足，AMD的部分4纳米制程产品已转换给三星，传闻显示，二者在近期已进行了签约。目前，双方还未对此消息进行回应。

此外，三星还在改进其4nm工艺，目标是通过SF4P（4LPP+）缩小与竞争对手之间的差距，预计会在今年晚些时候量产。此外，三星还计划推出用于高性能CPU和GPU的SF4X（4HPC），但值得注意的是，台积电几乎同一时间也会带来名为N3P的增强型3nm工艺。

三星希望凭借SF3在2024年能与台积电（TSMC）的先进工艺展开竞争。最近三星承认其半导体制造工艺上落后于台积电，不过其认为更早地采用GAA架构晶体管技术是一项优势，希望五年内可以实现超越。

台积电再发公司债，拟扩建厂房设备

近日全球代工龙头台积电加速了全球扩产的步伐。其近日发布公告发行新台币200亿元无担保普通公司债，资金将用于新建扩建厂房设备。

台积电公告显示，预计发行185亿元新台币无担保普通公司债，其中，5年期的甲类发行金额为19亿元新台币，7年期的乙类发行金额102亿元新台币，10年期的丙类发行金额64亿元新台币。这是台积电今年第7期无担保普通公司债。

因应晶圆18厂建厂及扩产需求，台积电上半年已发行600亿元新台币无担保普通公司债，下半年发行139亿元新台币无担保普通公司债，并发行10亿美元无担保美元公司债。

公开资料显示，台积电晶圆18厂主要生产5纳米制程产品，第3季开始大量出货，5纳米制程第3季贡献8%营收，预计全年营收比重约8%。

在今年的2023年北美技术研讨会上，台积电详细的介绍了其未来的扩产计划。台积电称，从2017年到2019年，台积电平均每年建设两期晶圆厂左右。从2020年到2023年，平均值将显着增加到5左右。近两年，台积电共开工建设10期新厂，包括5期中国台湾晶圆厂、2期中国台湾先进封装厂、3期海外晶圆厂。

到2024年，28纳米及以下工艺的海外产能将比2020年增长3倍。

在中国台湾，台南Fab 18的5、6、8期是台积电N3的量产基地。此外，台积电正在准备新的晶圆厂，新竹的Fab 20和台中的新工厂，用于N2 生产。

在美国，台积电计划在亚利桑那州建设2座晶圆厂。N4首座晶圆厂已开始设备进场，2024年量产。第二座工厂正在建设中，计划用于生产 N3。两家晶圆厂的总产能将达到每年60万片晶圆。

在日本，台积电正在熊本建设一座晶圆厂，为 16/12纳米和28纳米系列技术提供代工服务，以满足全球市场对专业技术的强劲需求。该工厂的建设已经开始，将于2024年实现量产。

在中国大陆，28纳米技术的新阶段将于2022年开始量产。

Rapidus目标2025年4月试产2nm芯片

据外媒消息，日本晶圆代工厂商Rapidus于5月22日在日本北海道千岁市其2nm工厂预设地举行的工程概要说明会上表示，其2nm试产产线开始生产的时间预计将在2025年3-4月左右。

根据计划，Rapidus位于千岁市的2nm晶圆厂将由日本建设公司鹿岛负责兴建，预计2023年9月动工、2025年1月完工，目标在2027年开始进行量产。鹿岛也是台积电熊本工厂的兴建工程承包商（营造商）。

公开资料显示，Rapidus是由索尼集团和NEC等8家科技大厂去年在东京共同投资的合资企业，目标是到2025年在日本制造出尖端的2纳米芯片。日本此前已表示将向Rapidus投资700亿日元（约5.25亿美元）。此计划由尖端半导体科技中心（the Leading-edge Semiconductor Technology Center，LSTC）统筹，日本10年间将通过LSTC投资Rapidus达347亿美元。

外媒近期消息显示，日本近日表示将额外向Rapidus提供3,000亿日元（约22.7亿美元）补贴，用以在日本北海道兴建半导体厂。据悉，Rapidus曾在去年12月和IBM达成战略性伙伴关系，双方将携手推动基于IBM突破性的2nm制程技术的研发。除了IBM之外，Rapidus也和比利时半导体研发机构imec合作，imec预估将提供极紫外光（EUV）相关技术的援助。近日外媒最新消息显示，imec表示，为了对Rapidus提供进一步援助，或考虑在北海道设立研发中心。