台积电前副总裁 Burn J. Lin 在一次罕见的采访中对记者表示，中国的中芯国际和华为在芯片技术方面遥遥领先，无视美国旨在遏制其技术进步的限制。 他相信中芯国际已经拥有的ASML光刻工具将使该公司能够推进到5纳米级制造工艺。

林告诉记者：“美国不可能完全阻止中国改进其芯片技术。”

尽管美国通过制裁施加技术限制，中芯国际通过开发第二代7纳米级制造工艺，展现了显着的韧性和独创性。 它还实现了足够高的产量，足以让华为制定供应 7000 万部智能手机的计划。 据称，中芯国际使用了 ASML 的 Twinscan NXT:2000i 光刻工具，这是一种深紫外 (DUV) 光刻扫描仪，可以生产采用 7 纳米和 5 纳米级工艺技术的芯片。 今年早些时候，荷兰政府限制了该工具向中国的出口。

Twinscan NXT:2000i 的分辨率（≤38nm）足以满足 7nm 级单图案光刻批量生产的需要。 然而，当涉及到5nm级工艺技术时，需要更精细的分辨率。 为了生产它，芯片制造商可以使用双重、三重甚至四重图案化，这是一种光刻技术，涉及将复杂图案分成几个更简单的图案，然后按顺序印刷这些图案，以在半导体制造中实现更高的精度和细节。 多重图案化的使用是一个棘手的过程，会影响产量以及每个晶圆上可使用的芯片数量，因此通常由于经济原因其使用受到限制。

但受限于其已有的工具，中芯国际别无选择，只能使用多重图案化来获得更精细的分辨率。 显然，它已经达到了华为可以接受的良率。 由此，人们不禁要问，美国政府对中国半导体行业的限制是否有效？

“美国真正应该做的是专注于保持其芯片设计领先地位，而不是试图限制中国的进步，这是徒劳的，因为中国正在采取举国战略来发展其芯片产业。” 据报道，台积电研发副总裁林表示。

有趣的是，美国的制裁似乎无意中为中芯国际打开了机会之门。 对台积电施加的限制，禁止其与某些中国实体进行交易，使得中芯国际得以介入并获得大量订单。 这一转变有利于中芯国际制造技术和技术能力的提升。