作为一家成立于2018年的企业，爱仕特科技成长迅速，成立的这几年中，多次与国内外汽车企业合作，作为SiC功率器件及应用方案的引领者，推出了多款被市场承认的产品，

在本次的慕尼黑华南电子展之上，爱仕特科技展出了多款SiC的新产品，全新的SiC功率模块，其使用了行业先进的封装技术，并且提供全桥、半桥和H桥三种常见的电路拓扑选型。其SiC功率模块的产品特性优秀，最高结温达到了175摄氏度，集成了负温度系数传感器，拥有2.5kv的绝缘电压；而本次爱仕特所带来的SiC MOSFET产品也同样令人瞩目，可以提供插入式和表面贴装式两种安装方式。它们全系采用了6英寸晶圆生产，最高耐压3300V，最低内阻达到了12毫欧。爱仕特的SiC MOSFET产品都拥有高雪崩耐量，且全部进行了UIS测试，满足AEC-Q101车规级要求。