近期，一众国内厂商扩产、量产碳化硅的消息频繁发布。如博世收购了美国半导体代工厂TSI以在2030年底之前扩大自己的SiC产品组合；安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片；SK集团宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工厂结束试运行，将正式量产碳化硅，产能将扩大近3倍。
除此之外，据外媒报道，日本半导体巨头瑞萨和德国晶圆代工厂X-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。
其中，瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC）来降低损耗的下一代功率半导体产品。报道指出，按照计划，瑞萨电子拟在目前生产硅基功率半导体的群马县高崎工厂实现SiC功率器件的量产，但具体投资金额和生产规模尚未确定。
至于X-FAB，其计划扩大在美国德克萨斯州拉伯克市（Lubbock）的代工厂业务。报道称，该公司已在拉伯克运营20多年，将在未来5年内进行重大投资，其中第一阶段的投资额为2亿美元，以提高该厂区的碳化硅半导体产量。
近年来，随着新能源汽车、5G通讯、轨道交通、智能电网等产业的快速发展，第三代半导体厂商备受业界青睐，尤其是碳化硅凭借高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势成为推动第三代半导体发展的主要推动力之一，市场需求巨大。
据TrendForce集邦咨询《2023 SiC功率半导体市场分析报告》显示，随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，2023年整体SiC功率元件市场规模有望增长达22.8亿美元，年成长41.4%。同时，受惠于电动汽车及可再生能源等下游主要应用市场的强劲需求，2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。
